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　　傾佳電子-#功率半導(dǎo)體(IGBT單管，IGBT模塊，碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN)以及新能源汽車連接器分銷商，致力于服務(wù)#工業(yè)電源及新能源汽車制造商。相較傳統(tǒng)汽車，新能源汽車在電驅(qū)動(dòng)單元、電氣設(shè)備的數(shù)量上都有較大的增加，內(nèi)部動(dòng)力電流及信息電流錯(cuò)綜復(fù)雜，特別是高電流、高電壓的電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)對(duì)連接器的可靠性、體積和電氣性能提出更高的要求，這意味著新能源汽車對(duì)連接器產(chǎn)品需求量及質(zhì)量要求都將大幅提升。在新能源汽車中，高壓連接器是極其重要的元部件，整車、充電設(shè)施上均有應(yīng)用。整車上高壓連接器主要應(yīng)用場(chǎng)景有：DC、水暖PTC充電機(jī)、風(fēng)暖PTC、直流充電口、動(dòng)力電機(jī)、高壓線束、維修開(kāi)關(guān)、逆變器、動(dòng)力電池、高壓箱、電動(dòng)空調(diào)、交流充電口等。在電動(dòng)汽車中，碳化硅功率器件的應(yīng)用主要為兩個(gè)方向，一個(gè)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器（電機(jī)控制器），另一個(gè)用于車載電源系統(tǒng)，主要包括：電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)（車載DC/DC）、車載充電系統(tǒng)（OBC）、車載空調(diào)系統(tǒng)（PTC和空壓機(jī)）等方面。 脫碳已經(jīng)成為全球的趨勢(shì)，在我國(guó)雙碳政策下，也即“碳達(dá)峰、碳中和”。新能源、新基建、以及光伏發(fā)電逐漸成為矚目的焦點(diǎn)，傾佳電子持續(xù)提供高品質(zhì)功率半導(dǎo)體新能源汽車連接器，在新能源汽車電控，充電樁，汽車OBC，新能源發(fā)電，#業(yè)儲(chǔ)能變流器，電動(dòng)汽車電機(jī)主驅(qū)，光伏逆變器，儲(chǔ)能變流器PCS，工業(yè)電源等領(lǐng)域與客戶深入合作，持續(xù)服務(wù)客戶的供應(yīng)鏈及新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)，全力支持#新能源汽車及電力電子工業(yè)發(fā)展！ 近年來(lái)，傾佳電子-著力推廣國(guó)產(chǎn)碳化硅SiC功率器件，國(guó)產(chǎn)SiC-MOSFET，國(guó)產(chǎn)SiC-MOSFET功率模塊，國(guó)產(chǎn)氮化鎵GaN HEMT以及配套的隔離驅(qū)動(dòng)IC，自舉驅(qū)動(dòng)IC,不斷在高壓汽車電驅(qū)系統(tǒng)、高壓快充樁、消費(fèi)電子適配器，數(shù)據(jù)中心、通訊基站電源、新型電力系統(tǒng)等領(lǐng)域拓展市場(chǎng)。除了車載應(yīng)用，SiC碳化硅的替代IGBT方案開(kāi)始在工業(yè)的UPS系統(tǒng)（不間斷電源）、軌道交通等領(lǐng)域推出。傾佳電子-#功率半導(dǎo)體(IGBT單管，IGBT模塊，碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN)以及新能源汽車連接器分銷的元器件在電力電子領(lǐng)域，在功率器件方面發(fā)揮重要作用。更小的元胞尺寸、更低的比導(dǎo)通阻、更低的開(kāi)關(guān)損耗、更好的柵氧保護(hù)是碳化硅MOSFET技術(shù)的主要發(fā)展趨勢(shì)，體現(xiàn)在應(yīng)用端上則是更好的性能和更高的可靠性。加之碳化硅器件的高功率密度、高結(jié)溫特性、高頻特性要求，也對(duì)現(xiàn)有封裝技術(shù)提出更高的要求。由于碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN在導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗方面的卓越性能，可以大大降低電力電子方面應(yīng)用的能耗。 隨著汽車越來(lái)越智能化，對(duì)于連接器在未來(lái)的智能汽車上，絕不會(huì)僅僅作為一個(gè)電連接點(diǎn)進(jìn)行傳輸，這個(gè)和傳統(tǒng)汽車會(huì)有非常本質(zhì)上的區(qū)別， 未來(lái)的連接器有可能會(huì)變成模塊化，其功能會(huì)隨著不同的汽車部位應(yīng)用場(chǎng)景，功能也會(huì)有所不同；同時(shí)智能駕駛的出現(xiàn)會(huì)讓連接對(duì)于傳輸?shù)姆�(wěn)定性變成強(qiáng)制條件，對(duì)于電性能的可靠性，以及其他性能都會(huì)提到更高一個(gè)要求等級(jí)；傾佳電子-#代理的汽車智能互聯(lián)連接器與線束，新能源汽車連接器，新能源汽車高壓連接器與線束，直流充電座，耐高壓連接器&插座，碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN引導(dǎo)電源技術(shù)轉(zhuǎn)向新的高功率密度和效率、高耐熱性能的解決方案，以減少導(dǎo)通損耗和碳排放。在整個(gè)能源轉(zhuǎn)換鏈中，碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN的節(jié)能潛力可為實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)期的全球節(jié)能目標(biāo)作出貢獻(xiàn)。碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN將推動(dòng)電力電子器件提#率、提高密度、縮小尺寸、減輕重量、降低總成本，因此將在很多電力電子應(yīng)用場(chǎng)景中為能效提升作出貢獻(xiàn)。